个人信息姓名：郑畅达
国籍：中国
性别：男
毕业院校：南昌大学
职称：研究员
学位：博士
职称类别：正高级
岗位类别：教学科研岗
岗位级别：正高4级
电子邮件：zhengchangda@ncu.edu.cn
所在单位：国家硅基LED工程技术研究中心
办公地址：南昌实验室101办公楼
个人信息郑畅达，南昌大学物理与材料学院/南昌实验室研究员，硕士研究生导师，入选江西省赣鄱俊才高层次高技能领军人才培养计划。主要从事硅衬底氮化镓基半导体发光器件制备和产业化工作，研究方向：硅衬底InGaN LED照明芯片制造，CMOS电路上InGaN Micro-LED微显示屏的集成。主持国家重点研发计划课题1项、江西省重大研发专项课题1项、国家自然科学基金课题1项，参与国家/江西省重大专项、国家自然科学基金等课题10余项。发表论文50余篇，获授权及申请发明专利10余项。获江西省自然科学特等奖1项，江西省科技进步一等奖1项。
[1] 200607-至今 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
1、2022/11—2025/10，国家重点研发计划课题，CMOS 电路上高密度Micro-LED 全彩集成技术，400万，主持
2、2022/01—2025/12，国家自然科学基金，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，35万，主持，
3、2018/01—2022/12，江西省重大研发专项课题，衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，500万，主持，
2022年度江西省自然科学特等奖，V形PN结半导体发光器件(7)
2020年度江西省科学技术进步一等奖，硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用（6）
[1] 一种RGB三色集成的Mini-LED芯片及其制造方法、显示面板，发明专利，授权，ZL202310130572.0，郑畅达;曹雷;王立;吴小明;莫春兰;陈芳;蒋恺;李璠;刘志华
[2] 一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法，发明专利，授权，ZL 2025 1 0000195.8，郑畅达;孙国阳;王立;莫春兰;李璠;吴小明;陈芳;刘志华 胡民伟
[3] 一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法,发明专利，授权，ZL 2021 1 0272273.1，郑畅达;张建立;高江东;王小兰;王旋;李丹;江风益
[4] 氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，发明专利，授权，ZL 2022 1 0047002.0，郑畅达;舒俊;张建立;王小兰;高江东;李丹;杨小霞;潘拴 王立
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