个人信息姓名：郑畅达
国籍：中国
性别：男
毕业院校：南昌大学
职称：研究员
学位：博士
职称类别：正高级
岗位类别：教学科研岗
岗位级别：科研岗
电子邮件：zhengchangda@ncu.edu.cn
所在单位：国家硅基LED工程技术研究中心
办公地址：南昌实验室101办公楼
个人信息郑畅达，2014年获南昌大学材料物理与化学博士，南昌大学、南昌实验室研究员，硕士研究生导师，入选2023年江西省赣鄱俊才高层次高技能领军人才培养计划。获江西省自然科学特等奖1项，江西省科技进步一等奖1项。主持国家重点研发计划课题1项、江西省重大研发专项课题1项、国家自然科学基金课题1项，参与国家/江西省重大专项、国家自然科学基金等课题10余项。发表论文50余篇，获授权及申请发明专利10余项。
主要从事硅衬底氮化镓基半导体发光器件制备和产业化工作，研究方向：硅衬底InGaN LED照明芯片制造，CMOS电路上InGaN Micro-LED微显示屏的集成。
[1] -200106 景德镇陶瓷学院 大学本科
[2] -200506 南昌大学 硕士研究生
[3] -201406 南昌大学 博士研究生
[1] 200607- 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心
项目与获奖情况：
1、主持国家重点研发计划课题，CMOS 电路上高密度Micro-LED 全彩集成技术，主持，2022/11—2025/10
2、主持国家自然科学基金，《高光效InGaN绿光MicroLED的外延结构设计与生长优化研究》，主持，2022/01—2025/12
3、主持江西省重大研发专项课题，衬底高光效长波长发光材料与芯片制造技术研究及产业化，主持，2018/01—2022/12
4、获2022年度江西省自然科学特等奖，V形PN结半导体发光器件(7)
5、获2020年度江西省科学技术进步一等奖，硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用（6）
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