个人信息

姓名:江风益

国籍:中国

性别:

毕业院校:吉林大学,中科院长春物理所

职称:教授

学位:硕士

电子邮件:jiangfy@ncu.edu.cn

所在单位:校领导

个人信息

教授,博士生导师,中国科学院院士,现任江西首个省实验室—南昌实验室主任。2019年当选中国科学院院士,获得国家有突出贡献的中青年专家、全国先进工作者、全国杰出专业技术人才、全国优秀科技工作者、江西省科学技术特别贡献奖、全国优秀共产党员等荣誉。培养博士生和研究生70余人,包括国家级百千万人才、教育部国家级重大人才工程入选者等。从事半导体发光方向的研究工作,涉及材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面。带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓半导体蓝光、绿光、和黄光LED材料与芯片,并实现了产业化(2006年创办企业),开创了高效节能LED照明芯片第三条技术路线,开拓了LED健康照明新方向。获国家技术发明一等奖(2015)、全球半导体照明突出贡献奖(2019)、国家级教学成果奖二等奖(2022)、江西省自然科学奖特等奖(2022)。

教育经历

[1] 198709-198912 中科院长春物理所 硕士研究生

[2] 198009-198406 吉林大学 大学本科

工作履历

科研项目

复合半导体江西省实验室筹建经费

ZnSe/MgSSe超晶格的激子行为研究

MOCVD生长ZnSe/MgS超晶格的研究

半导体照明专用MOCVD控制系统的研发

半导体照明专用MOCVD反应管的研发

与MOCVD装备配套的LED芯片制造技术的研发

与MOCVD装备配套的LED材料生长技术的研发

国家硅基LED工程技术研究中心

新型低成本硅衬底LED光源模组技术研究

硅衬底LED专用MOCVD设备研发

国家硅基LED工程技术研究中心创新型建设省份专项

国家硅基LED工程技术研究中心

科研成果

[1]    ZHANG S, ZHANG J, GAO J, WANG X, ZHENG C, ZHANG M, Wu X, Xu L, Ding J, Quan Z, Jiang F. Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red[J]. Photonics Research, 2020, 8(11): 144-148.

[2]    江风益, 刘军林, 张建立, 徐龙权, 丁杰, 王光绪, 全知觉, 吴小明, 赵鹏, 刘苾雨, 李丹, 王小兰, 郑畅达, 潘拴, 方芳, 莫春兰. 半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备[J]. 物理学报, 2019, 68(16): 168503.

[3]    JIANG F, ZHANG J, XU L, DING J, WANG G, WU X, Wang X, Mo C, Quan Z, Guo X, Zheng C, Pan S, Liu J. Efficient InGaN-based yellow-light-emitting diodes[J]. Photonics Research, 2019, 7(2): 144-148.

[4]    江风益, 刘军林, 王立, 熊传兵, 方文卿, 莫春兰, 汤英文, 王光绪, 徐龙权, 丁杰, 王小兰, 全知觉, 张建立, 张萌, 潘拴, 郑畅达. 硅衬底高光效GaN 基蓝色发光二极管[J]. 中国科学:物理学 力学 天文学, 2015, 45(6): 067302.

[5]    MO C, FANG W, PU Y, LIU H, JIANG F. Growth and characterization of InGaN blue LED structure on Si(111) by MOCVD[J]. Journal of Crystal Growth, 2005, 285(3): 312-317.