个人信息姓名：王支国
国籍：中国
性别：男
毕业院校：重庆大学
职称：研究员
学位：博士
电子邮件：zgwang@ncu.edu.cn
所在单位：物理与材料学院
办公地址：材料楼219
个人信息王支国博士，1992年出生，南昌大学高层次人才，特聘研究员。主要围绕挠曲电理论、材料和器件等基础问题进行了较为深入的研究，以第一/通讯作者在Physical Review Letters、Matter、Physical Review Applied、Applied Physics Letters等杂志发表研究论文10余篇，发表专著1篇，授权发明专利1项。承担国家自然科学基金青年项目。曾获2023年度江西省自然科学一等奖学术奖励。
[1] 2016-09-2021-09 重庆大学 博士研究生
[2] 2011-09-2015-07 安徽工业大学 本科
[1] 2024-09-至今 特聘研究员 南昌大学物理与材料学院
[2] 2021-09-2024-09 博士后 南昌大学
国家自然科学基金青年项目，12404106，2025年-2027年，30万，主持
[1] Z Wang, S Shu, X Wei, R Liang, S Ke, L Shu*, G Catalan*, Flexophotovoltaic effect and above-bandgap photovoltage induced by strain gradients in halide perovskites, Phys. Rev. Lett. 132, 086902 (2024).（Editors’ Suggestion, Featured in Physics, 2024PRL年度论文集）
[2] Z Wang, H Zhong, L Shu*, G Catalan*, Strain-gradient-induced modulation of photovoltaic efficiency, Matter 8, 101930 (2025).
[3] G Shen, Z Wen, Z Wang*, Longlong Shu*, Strain-engineered flexoelectricity and oxygen vacancy dynamics for modulating interfacial charge transport in BaTiO3, Journal of Materiomics 12, 101145 (2026).（封面文章）
[4] D Yu, Y Luo, W Hu, Z Wang*, Z Wen*, L Shu, Enhanced temperature stability of flexoelectricity through high-entropy design, Appl. Phys. Lett. 128, 162903 (2026).
[5] H Li, H Wu, Z Wang*, Z Xie, S Shu, Z Liu, S Ke, L Shu*, Space-charge-induced colossal dielectric constant and large flexoelectricity in Nb-doped BaTiO3 ceramics, Appl. Phys. Lett. 124, 062904 (2024).
[6] G Shen, R Liang, Z Wang*, Z Liu, L Shu*, Flexoelectricity in oxide thin films, J. Adv. Dielect. 2330001 (2023).
[7] T Tian, F Chen, Z Wen, Z Wang*, Y Hu, and S Shu*, Antiferroelectric-ferroelectric crossover induced by composition variation in AgNbO3-based lead-free ceramics, J. Mater. Sci: Mater. Electron. 34, 328 (2023).
[8] Z Wang, C Li, H Xie, Z Zhang, W Huang, S Ke, L Shu*, Effect of grain size on flexoelectricity, Phys. Rev. Appl. 18, 064017 (2022).
[9] Z Wang, R Liang, Y Hu, C Li, S Ke, L Shu*, Controllable semiconductor flexoelectricity by interface engineering, Appl. Phys. Lett. 121, 192901 (2022).
[10] Z Wang, C Li, Z Zhang, Y Hu, W Huang, S Ke, R Zheng, F Li, L Shu*, Interplay of defect dipole and flexoelectricity in linear dielectrics, Scripta Mater. 210, 114427 (2022).
[11] Z Dai, S Guo, Y Gong, Z Wang*, Semiconductor flexoelectricity in graphite-doped SrTiO3 ceramics, Ceram. Int. 47, 6535-6539 (2021).
[12] Z Wang, R Song, Z Shen, W Huang, C Li, S Ke, L Shu*, Non-linear behavior of flexoelectricity, Appl. Phys. Lett. 115, 252905 (2019). (Featured Article, Sci-light)
舒龙龙，王支国，柯善明，挠曲电理论与材料设计，2023年度江西省自然科学一等奖。
Zhiguo Wang, Longlong Shu, Flexoelectric Materials. In: Olabi, Abdul-Ghani (eds.) Encyclopedia of Smart Materials, vol. 4, pp. 50–64. Oxford: Elsevier (2022).
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