[1] 201912-至今 主任 教育部发光材料与器件工程研究中心

[2] 201812-至今 研究员 国家硅基LED工程技术研究中心

[3] 201407-201811 助理研究员 国家硅基LED工程技术研究中心

[1] 国家重点研发计划项目，InGaN基长波段LED关键技术，2022YFB3608500，2022-2025，3300万元，在研

[2] 国家重点研发计划课题，超高能效白光LED光谱设计与新型高效器件研究，2017YFB0403105，2017-2021，388万元，结题。

[3] 国家自然科学基金青年项目，基于V型坑的InGaN三维量子阱生长与性能研究，51602141，2017-2019，20万元，结题。

[1] Shi, Jianyang; Xu, Zengyi; Niu, Wenqing; Li, Dong; Wu, Xiaoming; Li, Ziwei; Zhang, Junwen; Shen, Chao; Wang, Guangxu; Wang, Xiaolan; Zhang, Jianli; Jiang, Fengyi; Yu, Shaohua; Chi, Nan，Si-substrate vertical-structure InGaN/GaN micro-LED-based photodetector for beyond 10 Gbps visible light communication，PHOTONICS RESEARCH，10，10，2394，2022

[2] Zhang, Shengnan; Zhang, Jianli*; Gao, Jiangdong; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Zhang, Meng; Wu, Xiaoming; Xu, Longquan; Ding, Jie; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red，PHOTONICS RESEARCH，8，11，1671，2020

[3] Gao, Jiang-Dong; Zhang, Jian-Li*; Quan, Zhi-Jue; Pan, Shuan; Liu, Jun-Lin; Jiang, Feng-Yi，Effect of horizontalp-njunction on optoelectronics characteristics in InGaN-based light-emitting diodes with V-shaped pits，JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，53，33，335103，2020

[4] Yang, Xudong; Zhang, Jianli*; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Enhance the efficiency of green-yellow LED by optimizing the growth condition of preparation layer，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，141，106459，2020

[5] Zhang, Jianli; Wang, Xiaolan; Liu, Junlin; Mo, Chunlan; Wu, Xiaoming; Wang, Guangxu; Jiang, Fengyi，Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region，OPTICAL MATERIALS，86，46，2018

[1] 一种全彩LED器件控制方法，发明专利，ZL2022103099206，张建立；杨小霞；王小兰；高江东；李丹

[2] 一种用于可见光通信的LED芯片结构，发明专利，ZL2021100862361，张建立；陈寿清；吴小明

[3] 一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，发明专利，ZL2021105832697，张建立；杨小霞；郑畅达；王小兰；高江东；李丹；江风益

[4] 一种InGaN基黄色发光二极管结构，发明专利，ZL2016112228840，张建立；徐龙权；丁杰；莫春兰；王小兰；刘军林；江风益

[5] 一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，发明专利，ZL2021102722731，郑畅达；张建立；高江东；王小兰；王旋；李丹；江风益