南昌大学教师个人主页张建立

个人信息

姓名：张建立

国籍：中国

联系电话：13687089973

性别：男

毕业院校：南昌大学

学位：博士

电子邮件：zhangjianli@ncu.edu.cn

所在单位：国家硅基LED工程技术研究中心

岗位级别：正高4级

职工类别：科研型

职称：研究员

学科：其他

办公地址：LED工程中心308

职称等级：正高级

姓名拼音：Zhang Jianli

所在系：材料科学与工程

基本信息

南昌大学研究员，博士生导师，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌实验室首席科学家。从事氮化物材料、器件与应用研究，包括氮化镓材料生长、LED器件结构与器件物理、LED应用、可见光通信光源、功率射频器件开发等。创新了硅衬底氮化镓材料生长工艺，研制了高光效氮化镓长波长LED材料，发明了无蓝光纯芯片LED照明光源。发表学术论文60余篇，参与编写论著3本，获授权发明专利20余件，主持和参与国家级、省部级项目10余项。获江西省自然科学奖特等奖、中国通信学会科技奖一等奖、中国照明学会科技创新奖一等奖等奖励。入选国家高层次人才计划。

工作履历

[1] 202405-至今首席科学家南昌实验室

[2] 201912-至今主任教育部发光材料与器件工程研究中心

[3] 201812-至今研究员国家硅基LED工程技术研究中心

[4] 201407-201811 助理研究员国家硅基LED工程技术研究中心

科研项目

2022-2025，国家重点研发计划项目，InGaN基长波段LED关键技术，3300万元，主持。

2017-2021，国家重点研发计划课题，超高能效白光LED光谱设计与新型高效器件研究，388万元，主持。

2017-2019，国家自然科学基金青年项目，基于V型坑的InGaN三维量子阱生长与性能研究，20万元，主持。

荣誉奖励

2025年，国家高层次人才计划

2024年，国务院特殊津贴

2024年，中国通信学会科技一等奖

2023年，江西省自然科学特等奖

2019年，中国照明学会科技创新一等奖

论文成果

[1]Zhang, Shengnan; Zhang, Jianli*; Gao, Jiangdong; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Zhang, Meng; Wu, Xiaoming; Xu, Longquan; Ding, Jie; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red，PHOTONICS RESEARCH，8，11，1671，2020

[2]Gao, Jiang-Dong; Zhang, Jian-Li*; Quan, Zhi-Jue; Pan, Shuan; Liu, Jun-Lin; Jiang, Feng-Yi，Effect of horizontalp-njunction on optoelectronics characteristics in InGaN-based light-emitting diodes with V-shaped pits，JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，53，33，335103，2020

[3]Yang, Xudong; Zhang, Jianli*; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Enhance the efficiency of green-yellow LED by optimizing the growth condition of preparation layer，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，141，106459，2020

[4]Gao, Jiang-Dong; Zhang, Jian-Li*; Zhu, Xin; Wu, Xiao-Ming; Mo, Chun-Lan; Pan, Shuan; Liu, Jun-Lin; Jiang, Feng-Yi, Detailed surface analysis of V-defects in GaN films on patterned silicon(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition, JOURNAL OF APPLIED CRYSTALLOGRAPHY, 52, 637-642，2019

[5]Zhang, Jianli; Wang, Xiaolan; Liu, Junlin; Mo, Chunlan; Wu, Xiaoming; Wang, Guangxu; Jiang, Fengyi，Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region，OPTICAL MATERIALS，86，46，2018

专利成果

[1]一种清洗InGaN基LEDV型坑侧壁In的方法，发明专利，授权，ZL2022111411666，张建立；李丹；王小兰；高江东；杨小霞；吴小明；江风益

[2]一种全彩LED器件控制方法，发明专利，授权，ZL2022103099206，张建立；杨小霞；王小兰；高江东；李丹

[3]一种用于可见光通信的LED芯片结构，发明专利，授权，ZL2021100862361，张建立；陈寿清；吴小明

[4]一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，发明专利，授权，ZL2021105832697，张建立；杨小霞；郑畅达；王小兰；高江东；李丹；江风益

[5]一种InGaN基黄色发光二极管结构，发明专利，授权，ZL2016112228840，张建立；徐龙权；丁杰；莫春兰；王小兰；刘军林；江风益

招生信息

招收材料科学与工程、信息与通信工程相关专业研究生。