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个人信息

姓名：张建立

国籍：中国

联系电话：13687089973

导师类型：博士生导师

性别：男

毕业院校：南昌大学

学位：博士

email：zhangjianli@ncu.edu.cn

所在单位：国家硅基LED工程技术研究中心

岗位级别：专技四级

职工类别：科研型

职称：研究员

学科：工学

办公地址：LED工程中心308

职称级别：高级

姓名拼音：zhang jian li

所在系：材料科学与工程

基本信息

张建立，1983年生。2014年毕业于南昌大学，现南昌大学研究员，博士生导师，国家硅基LED工程技术研究中心副主任，教育部发光材料与器件工程研究中心主任，南昌大学“双一流”学科建设“发光新材料技术”方向带头人。主要从事硅衬底GaN相关研究，包括硅衬底GaN材料生长、InGaN长波段LED研制、无荧光粉纯LED照明、LED可见光通信、硅衬底GaN功率射频器件开发等。发表学术论文60余篇，参与编写论著3本、获授权发明专利20余件，主持和参与国家级、省部级项目10余项。

教育经历

[1] 200909-201406 南昌大学博士研究生

工作履历

[1] 202305-至今材料中心主任南昌实验室

[2] 201912-至今主任教育部发光材料与器件工程研究中心

[3] 201812-至今研究员国家硅基LED工程技术研究中心

[4] 201407-201811 助理研究员国家硅基LED工程技术研究中心

科学研究

[1] 国家重点研发计划项目，InGaN基长波段LED关键技术，2022YFB3608500，2022-2025，3300万元，在研

[2] 国家重点研发计划课题，超高能效白光LED光谱设计与新型高效器件研究，2017YFB0403105，2017-2021，388万元，结题。

[3] 国家自然科学基金青年项目，基于V型坑的InGaN三维量子阱生长与性能研究，51602141，2017-2019，20万元，结题。

获奖信息

[1] 2023年，江西省自然科学特等奖

[2] 2020年，江西省教学成果特等奖

[3] 2019年，中国照明学会科技创新一等奖

[4] 2016年，入选全球半导体照明年度大事

论文成果

[1] Shi, Jianyang; Xu, Zengyi; Niu, Wenqing; Li, Dong; Wu, Xiaoming; Li, Ziwei; Zhang, Junwen; Shen, Chao; Wang, Guangxu; Wang, Xiaolan; Zhang, Jianli; Jiang, Fengyi; Yu, Shaohua; Chi, Nan，Si-substrate vertical-structure InGaN/GaN micro-LED-based photodetector for beyond 10 Gbps visible light communication，PHOTONICS RESEARCH，10，10，2394，2022

[2] Zhang, Shengnan; Zhang, Jianli*; Gao, Jiangdong; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Zhang, Meng; Wu, Xiaoming; Xu, Longquan; Ding, Jie; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Efficient emission of InGaN-based light-emitting diodes: toward orange and red，PHOTONICS RESEARCH，8，11，1671，2020

[3] Gao, Jiang-Dong; Zhang, Jian-Li*; Quan, Zhi-Jue; Pan, Shuan; Liu, Jun-Lin; Jiang, Feng-Yi，Effect of horizontalp-njunction on optoelectronics characteristics in InGaN-based light-emitting diodes with V-shaped pits，JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS，53，33，335103，2020

[4] Yang, Xudong; Zhang, Jianli*; Wang, Xiaolan; Zheng, Changda; Quan, Zhijue; Jiang, Fengyi，Enhance the efficiency of green-yellow LED by optimizing the growth condition of preparation layer，SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES，141，106459，2020

[5] Zhang, Jianli; Wang, Xiaolan; Liu, Junlin; Mo, Chunlan; Wu, Xiaoming; Wang, Guangxu; Jiang, Fengyi，Study on Carrier transportation in InGaN based green LEDs with V-pits structure in the active region，OPTICAL MATERIALS，86，46，2018

专利成果

[1] 一种全彩LED器件控制方法，发明专利，ZL2022103099206，张建立；杨小霞；王小兰；高江东；李丹

[2] 一种用于可见光通信的LED芯片结构，发明专利，ZL2021100862361，张建立；陈寿清；吴小明

[3] 一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，发明专利，ZL2021105832697，张建立；杨小霞；郑畅达；王小兰；高江东；李丹；江风益

[4] 一种InGaN基黄色发光二极管结构，发明专利，ZL2016112228840，张建立；徐龙权；丁杰；莫春兰；王小兰；刘军林；江风益

[5] 一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，发明专利，ZL2021102722731，郑畅达；张建立；高江东；王小兰；王旋；李丹；江风益